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我们都知道，源极之间的 mosfet 栅极和漏极是介电层，因此在栅极和漏极之间一定有一个寄生电容在 cgs 和 cgd 之间，沟道没有形成，漏极之间也有一个寄生电容的 cds，所以在考虑寄生电容时，mosfet 等效电路如图2所示。
我们都应该知道，MOSFET的栅极和漏极之间有介质层，所以栅极和漏极之间必然存在寄生电容CGS和CGD。当没有形成沟道时，漏极和源极之间也存在寄生电容CDS。因此，当考虑寄生电容时，MOSFET的等效电路将如图2所示。但是，我们在MOSFET数据手册中一般看不到这三个参数，手册中给出的参数是CISS、COSS和CRSS(见图1)。
图 1 某数据技术手册进行关于寄生电容的描述
他们与CGS、CGD、CDS的关系如下：
Sith (CGS) CGD (CDS plus pictured), Corsese s CDS s CGD, Klaas s CGD
图2考虑寄生电容的 mosfet 模型
让我们看看这些寄生参数是如何影响开关速度的。如图3所示，当驱动信号UI出现时，MOSFET处于关闭状态。此时，CGS和CGD上的电压为UGS=0，ugd=-VDD，CGS和CGD上的电荷量为Qgs=0，QGD=ugdcgd=vddcgd。接下来，UI通过RG对CGS充电，UGS逐渐增大（在这个过程中，随着UGS的增大，CGD也会放电，但由于VDD比UGS大得多，CGD不会导致栅极电流的显著增大）。当UGS达到阈值电压时，一个电流开始流过MOSFET（事实上，当UGS没有达到阈值电压时，一个小电流已经流过MOSFET）。MOSFET上的电压降开始从原来的VDD下降，CGD上的电压也会下降。然后，它将伴随着CGD的释放。
由于CGD上的电荷量QGD=vddcgd较大，放电时间较长。在放电期间，栅极电流基本上用于CGD的放电，因此栅极源极电压的增加变慢。放电后，UI继续通过RG对CGS和CGD充电（因为此时MOSFET完全导通，相当于CGS和CGD并联），直到栅极源电压达到UI，开启过程完成。图4中的曲线很好地描述了在传导过程中UGS随时间的变化曲线。应该注意的是，实际曲线不是一条直线，因为驱动器不提供电流源。图4仅表示上升趋势。
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